سامسونج تكشف عن أول وحدة تخزين عشوائي بسعة 512 جيجابايت
كشفت شركة "سامسونج" عن أول وحدات ذاكرة تخزين عشوائي DDR5 بحجم 512 جيجابايت في العالم.
وبحسب بيان الشركة فإن هذه الوحدات مجمعة باستخدام تقنية "HKMG"، وهي أسرع بعدة مرات من DDR4، كما أنها أقل استهلاكا للطاقة كما تهدف الذاكرة الجديدة، إلى تلبية المتطلبات المتعطشة للحوسبة الفائقة والذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي، بالإضافة إلى تطبيقات تحليل البيانات.
ويحتوي شريط ذاكرة واحد من "سامسونج إلكترونيكس" على 8 طبقات من رقائق DRAM، لكل منها ذاكرة بسعة 16 جيجابايت.
وبذلك تمكنت الشركة المصنعة من زيادة تكوين الدائرة المصغرة إلى أقصى حد وجعل الحجم الإجمالي للذاكرة 512 جيجابايت في الوقت ذاته، أدى هذا الترتيب إلى زيادة السرعة حتى 7200 ميجابت/ثانية، وهو أكثر من ضعف سرعة DDR4 المعروضة في السوق كما تمكن المهندسون أيضًا من تحقيق كفاءة أفضل في استخدام الطاقة.
مقارنةً بالوحدات الجديدة، تتمتع الوحدات الجديدة باستهلاك أقل للطاقة بنسبة 13% وتقنية (HKMG) تعتبر تقنية جديدة نسبيا موجودة منذ عام 2018، وتعتمد هذه التقنية على تقنية TSV.
